SIMOX上外延层的TEM研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 倪如山 ; 朱文化 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 电子显微学报
 |
| 出版日期 | 1993 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1000-6281 |
| 中文摘要 | <正> 氧注入隔离(SIMOX:Separation by IMplanted OXygen)是绝缘层上形成单晶硅(SOI:Silicon onInsulator)结构的最有前途的技术。制备工艺简单,可获得绝缘层上高质量的单晶硅膜。由于SIMOX衬底与体材料硅相比有许多潜在的优点,如有较高的开关速度、较强的抗辐照能力和避免闭锁效应等,正受到人们越来越多的关注。SIMOX衬底上分子束外延生长GaAs或Si/Ge_(0.5)Si_(0.5)应变层超晶格薄膜,具有异质外延材料和SIMOX的全部优点。可把GaAs |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104252]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倪如山,朱文化,林成鲁. SIMOX上外延层的TEM研究[J]. 电子显微学报,1993(02). |
| APA | 倪如山,朱文化,&林成鲁.(1993).SIMOX上外延层的TEM研究.电子显微学报(02). |
| MLA | 倪如山,et al."SIMOX上外延层的TEM研究".电子显微学报 .02(1993). |
入库方式： OAI收割
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