SOI结构激光再结晶薄层中应力的喇曼光谱研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 冷静民 ; 钱佑华 ; 林成鲁 ; 方芳 |
| 刊名 | 红外研究(A辑)
 |
| 出版日期 | 1987 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1001-9014 |
| 中文摘要 | <正> 在电阻率为6～8Ω·cm的N型<100>硅衬底上热生长1μm厚的SiO_2层,用LPCVD方法淀积0.5μm厚的多晶硅层,然后用束斑直径为40μm、功率为5W的Ar~+激光束对样品再结晶,激光扫描速率为5cm/s,衬底温度为550℃。在上述条件下,SOI薄层发生了熔化并再结晶的过程。在这一过程中,由于SiO_2绝缘层的热膨胀系数比硅小很多,因此SOI薄 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104278]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冷静民,钱佑华,林成鲁,等. SOI结构激光再结晶薄层中应力的喇曼光谱研究[J]. 红外研究(A辑),1987(03). |
| APA | 冷静民,钱佑华,林成鲁,&方芳.(1987).SOI结构激光再结晶薄层中应力的喇曼光谱研究.红外研究(A辑)(03). |
| MLA | 冷静民,et al."SOI结构激光再结晶薄层中应力的喇曼光谱研究".红外研究(A辑) .03(1987). |
入库方式： OAI收割
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