SOI上PZT铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积及其快速退火研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 郑立荣 ; 陈逸清 ; 张顺开 ; 林成鲁 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 半导体学报
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| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 02534177 |
| 中文摘要 | 用ＡｒＦ脉冲准分子激光在ＳＯＩ和Ｐｔ／ＳＯＩ衬底上沉积了Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３铁电薄膜，并用快速退火进行热处理．Ｘ射线衍射、卢瑟辐背散射等分析表明：所结晶的薄膜是以（１００）和（１１０）为主要取向的多晶膜，且结晶情况与热处理温度和时间密切相关；ＰＺＴ薄膜呈现良好的铁电性． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104279]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑立荣,陈逸清,张顺开,等. SOI上PZT铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积及其快速退火研究[J]. 半导体学报,1996(03). |
| APA | 郑立荣,陈逸清,张顺开,林成鲁,&邹世昌.(1996).SOI上PZT铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积及其快速退火研究.半导体学报(03). |
| MLA | 郑立荣,et al."SOI上PZT铁电薄膜的脉冲准分子激光沉积及其快速退火研究".半导体学报 .03(1996). |
入库方式： OAI收割
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