SOI—实现低压低功耗集成电路的新技术
文献类型:期刊论文
作者 | 黄继颇 ; 多新中 ; 张苗 ; 王连卫 ; 符晓荣 ; 林成鲁 |
刊名 | 电子元器件应用
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出版日期 | 2000 |
期号 | 05 |
ISSN号 | 1563-4795 |
中文摘要 | 近来,IBM公司利用绝缘层上的硅(SOI)技术成功研制出高速、低功耗的微电子主流产品微处理器等高性能芯片,该芯片不仅工作速度显著提高,功耗也大幅度下降,充分显现了SOI技术的优越性。这也预示着SOI技术将逐步走向商业应用。SOI技术最突出的优点是能够实现低电压、低功耗驱动。本文介绍了市场对低压、低功耗电路的需求,分析了SOI技术实现低压、低功耗电路的工作原理,综述了当前SOI低压、低功耗电路发展的新动向。 |
公开日期 | 2012-03-29 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104280] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄继颇,多新中,张苗,等. SOI—实现低压低功耗集成电路的新技术[J]. 电子元器件应用,2000(05). |
APA | 黄继颇,多新中,张苗,王连卫,符晓荣,&林成鲁.(2000).SOI—实现低压低功耗集成电路的新技术.电子元器件应用(05). |
MLA | 黄继颇,et al."SOI—实现低压低功耗集成电路的新技术".电子元器件应用 .05(2000). |
入库方式: OAI收割
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