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SOI—实现低压低功耗集成电路的新技术

文献类型:期刊论文

作者黄继颇 ; 多新中 ; 张苗 ; 王连卫 ; 符晓荣 ; 林成鲁
刊名电子元器件应用
出版日期2000
期号05
ISSN号1563-4795
中文摘要近来,IBM公司利用绝缘层上的硅(SOI)技术成功研制出高速、低功耗的微电子主流产品微处理器等高性能芯片,该芯片不仅工作速度显著提高,功耗也大幅度下降,充分显现了SOI技术的优越性。这也预示着SOI技术将逐步走向商业应用。SOI技术最突出的优点是能够实现低电压、低功耗驱动。本文介绍了市场对低压、低功耗电路的需求,分析了SOI技术实现低压、低功耗电路的工作原理,综述了当前SOI低压、低功耗电路发展的新动向。
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104280]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
黄继颇,多新中,张苗,等. SOI—实现低压低功耗集成电路的新技术[J]. 电子元器件应用,2000(05).
APA 黄继颇,多新中,张苗,王连卫,符晓荣,&林成鲁.(2000).SOI—实现低压低功耗集成电路的新技术.电子元器件应用(05).
MLA 黄继颇,et al."SOI—实现低压低功耗集成电路的新技术".电子元器件应用 .05(2000).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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