SOS膜横断面的电子显微镜研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈庆贵 ; 孙克怡 ; 蔡希介 ; 史日华 |
| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 1985 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 本文叙述用高温氢退火处理提高SoS膜的结晶质量的实验结.SOS膜的光吸收因子F_A值在氢退火温度920～1020℃,4.5小时下可下降20～30%,达到126×10~6cm~(-2).SOS膜横断面电镜观察证明,SOS膜结晶质量的改善是与界面附近微孪晶、层错等缺陷的减少有关. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104284]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈庆贵,孙克怡,蔡希介,等. SOS膜横断面的电子显微镜研究[J]. 半导体技术,1985(05). |
| APA | 陈庆贵,孙克怡,蔡希介,&史日华.(1985).SOS膜横断面的电子显微镜研究.半导体技术(05). |
| MLA | 陈庆贵,et al."SOS膜横断面的电子显微镜研究".半导体技术 .05(1985). |
入库方式： OAI收割
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