SOS外延膜的光吸收研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 章熙康 ; 顾隆道 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1982 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | <正> SOS(蓝宝石上外延硅)膜是异质外延,由于点阵失配、外延后冷却时产生的热应力及自掺杂效应,外延膜的结晶质量及半导体性能对于衬底制备及外延工艺参数非常敏感.Druminski等根据SOS膜的光谱反射吸收测量,提出用一光吸收因子F_A来表征硅膜的结晶质量.F_A定义为 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104286]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 章熙康,顾隆道. SOS外延膜的光吸收研究[J]. 半导体学报,1982(03). |
| APA | 章熙康,&顾隆道.(1982).SOS外延膜的光吸收研究.半导体学报(03). |
| MLA | 章熙康,et al."SOS外延膜的光吸收研究".半导体学报 .03(1982). |
入库方式： OAI收割
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