SOZ膜结晶质量的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈庆贵 ; 高培德 ; 褚卫兵 ; 史日华 ; 孙克怡 ; 董奇伟 ; 董荣康 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 研究了预处理工艺对SOZ膜结晶质量的影响。用SEM、AES,SIMS及TEM技术分析其原因。结果表明,预处理工艺以1200～1250℃、60～120分为好。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104287]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈庆贵,高培德,褚卫兵,等. SOZ膜结晶质量的研究[J]. 半导体技术,1992(05). |
| APA | 陈庆贵.,高培德.,褚卫兵.,史日华.,孙克怡.,...&董荣康.(1992).SOZ膜结晶质量的研究.半导体技术(05). |
| MLA | 陈庆贵,et al."SOZ膜结晶质量的研究".半导体技术 .05(1992). |
入库方式： OAI收割
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