SP~2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周江云 ; 李琼 ; 徐静芳 ; 茅东升 ; 柳襄怀 |
| 刊名 | 华东师范大学学报(自然科学版)
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| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1000-5641 |
| 中文摘要 | 该文研究了真空磁过滤弧沉积方法制备的非晶金石薄膜 (a-DF)的电子场发射性能 ,SP2 键含量不同的薄膜的场发射性能有很大的差异 ,SP2 键含量越高 ,阈值电场越小 ,发射电流越大 ,同时失效率也较高。SP2 键含量为 6 .5% ,2 0 % ,40 %的薄膜 ,其阈值电场分别为2 .7V/ μm,1 .5V/ μm ,0 .7V/ μm ,远小于金属和硅尖锥的阈值电场。所有样品的发射点均为随机的点状分布。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104288]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周江云,李琼,徐静芳,等. SP~2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响[J]. 华东师范大学学报(自然科学版),2000(02). |
| APA | 周江云,李琼,徐静芳,茅东升,&柳襄怀.(2000).SP~2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响.华东师范大学学报(自然科学版)(02). |
| MLA | 周江云,et al."SP~2键含量对非晶金刚石膜电子场发射性能的影响".华东师范大学学报(自然科学版) .02(2000). |
入库方式： OAI收割
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