TDDB击穿特性评估薄介质层质量
文献类型：期刊论文
| 作者 | 胡恒升 ; 张敏 ; 林立谨 |
| 刊名 | 电子学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 0372-2112 |
| 中文摘要 | 与时间相关电介质击穿 (TDDB)测量是评估厚度小于 2 0nm薄栅介质层质量的重要方法 .氧化层击穿前 ,隧穿电子和空穴在氧化层中或界面附近产生陷阱、界面态 ,当陷阱密度超过临界平均值 ρbd时 ,发生击穿 .击穿电量Qbd值表征了介质层的质量 .Qbd值及其失效统计分布与测试电流密度、电场强度、温度及氧化层面积等有定量关系 .TDDB的早期失效分布可以反映工艺引入的缺陷 .TDDB可以直接评估氧化、氮化、清洗、刻蚀等工艺对厚度小于 10nm的栅介质质量的影响 .它是硅片级评估可靠性和预测EEPROM |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104297]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡恒升,张敏,林立谨. TDDB击穿特性评估薄介质层质量[J]. 电子学报,2000(05). |
| APA | 胡恒升,张敏,&林立谨.(2000).TDDB击穿特性评估薄介质层质量.电子学报(05). |
| MLA | 胡恒升,et al."TDDB击穿特性评估薄介质层质量".电子学报 .05(2000). |
入库方式： OAI收割
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