TiW/Si的接触势垒以及SBD面积缩小原理
文献类型：期刊论文
| 作者 | 赖建文 ; 潘鸿芳 |
| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 1987 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 本文叙述Ti_XW_(1-X)合金薄膜的制备方法以及不同的TiW组份对Ti_XW_(1-X)/Si势垒高度的影响.结果表明:当TiW组分不同时,TiW/Si接触的势垒高度会在一定的范围内(0.54eV～0.66eV)变化.由于TiW/Si的势垒高度较低,所以在电路中采用TiW/Si SBD则有利于SBD面积的缩小. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104310]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 赖建文,潘鸿芳. TiW/Si的接触势垒以及SBD面积缩小原理[J]. 半导体技术,1987(02). |
| APA | 赖建文,&潘鸿芳.(1987).TiW/Si的接触势垒以及SBD面积缩小原理.半导体技术(02). |
| MLA | 赖建文,et al."TiW/Si的接触势垒以及SBD面积缩小原理".半导体技术 .02(1987). |
入库方式： OAI收割
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