Ti对Nb管富Sn法Nb_3Sn上临界场H_(c2)的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 崔长庚 ; 郭树权 ; 蒋华 ; 李山林 ; 何牧 |
| 刊名 | 低温物理学报
 |
| 出版日期 | 1991 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1000-3258 |
| 中文摘要 | 测量了不掺 Ti 和不同掺 Ti 量的一组 Nb 管富 Sn 法 Nb_3Sn 样品的临界温度附近临界场,使用了 WHH 公式推算了上临界场 H_(c2)(o),研究了冷收缩应力对 Nb_3Sn 上临界场的影响,结果表明:随掺 Ti 量的增加 Nb_3Sn 的 H_(c2)(o)有较大地提高,其提高的主要原因是掺 Ti 以后改善了 Nb_3Sn 的冷收缩应力. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104311]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 崔长庚,郭树权,蒋华,等. Ti对Nb管富Sn法Nb_3Sn上临界场H_(c2)的影响[J]. 低温物理学报,1991(01). |
| APA | 崔长庚,郭树权,蒋华,李山林,&何牧.(1991).Ti对Nb管富Sn法Nb_3Sn上临界场H_(c2)的影响.低温物理学报(01). |
| MLA | 崔长庚,et al."Ti对Nb管富Sn法Nb_3Sn上临界场H_(c2)的影响".低温物理学报 .01(1991). |
入库方式： OAI收割
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