Ti扩散势垒对Al/Si/Pd与n-GaAs欧姆接触热稳定性的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 方芳 ; L.C.Wang ; S.S.Lau |
| 刊名 | 电子学报
 |
| 出版日期 | 1990 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 0372-2112 |
| 中文摘要 | 利用电子束蒸发依次将Pd,Si和Al淀积在掺杂浓度为2×10~(13)cm~(-3)的n型GaAs上,可以得到非合金、低阻的欧姆接触。比接触电阻率约为5×10~(-6)·cm~2。但经过高温(410℃),长时间热退火后,样品的表面会出现明显不平整,比接触电阻率会明显增加,在Al和Si/Pd之间加入一层Ti作为扩散势垒会使欧姆接触的热稳定性变好。但只有在Al和Ti之间的反应没有完全耗尽Ti时,扩散势垒才起作用。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104313]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 方芳,L.C.Wang,S.S.Lau. Ti扩散势垒对Al/Si/Pd与n-GaAs欧姆接触热稳定性的影响[J]. 电子学报,1990(05). |
| APA | 方芳,L.C.Wang,&S.S.Lau.(1990).Ti扩散势垒对Al/Si/Pd与n-GaAs欧姆接触热稳定性的影响.电子学报(05). |
| MLA | 方芳,et al."Ti扩散势垒对Al/Si/Pd与n-GaAs欧姆接触热稳定性的影响".电子学报 .05(1990). |
入库方式： OAI收割
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