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TMG和TEG MOCVD生长GaAs的研究

文献类型:期刊论文

作者丁永庆 ; 苏建农 ; 彭瑞伍
刊名稀有金属
出版日期1988
期号02
ISSN号0258-7076
中文摘要本文采用三甲基镓(TMG)和三乙基镓(TEG)为镓源的金属有机化合物气相沉积(MOCVD),获得了高质量的 GaAs 外延层。生长速率随 TMG 和 TEG 的浓度增加而增高,而与AsH_3浓度无关。用自制的 TEG 为镓源生长的 GaAs 有较高的低温迁移率。
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104315]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
丁永庆,苏建农,彭瑞伍. TMG和TEG MOCVD生长GaAs的研究[J]. 稀有金属,1988(02).
APA 丁永庆,苏建农,&彭瑞伍.(1988).TMG和TEG MOCVD生长GaAs的研究.稀有金属(02).
MLA 丁永庆,et al."TMG和TEG MOCVD生长GaAs的研究".稀有金属 .02(1988).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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