TMG和TEG MOCVD生长GaAs的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 丁永庆 ; 苏建农 ; 彭瑞伍 |
| 刊名 | 稀有金属
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| 出版日期 | 1988 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 本文采用三甲基镓(TMG)和三乙基镓(TEG)为镓源的金属有机化合物气相沉积(MOCVD),获得了高质量的 GaAs 外延层。生长速率随 TMG 和 TEG 的浓度增加而增高,而与AsH_3浓度无关。用自制的 TEG 为镓源生长的 GaAs 有较高的低温迁移率。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104315]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁永庆,苏建农,彭瑞伍. TMG和TEG MOCVD生长GaAs的研究[J]. 稀有金属,1988(02). |
| APA | 丁永庆,苏建农,&彭瑞伍.(1988).TMG和TEG MOCVD生长GaAs的研究.稀有金属(02). |
| MLA | 丁永庆,et al."TMG和TEG MOCVD生长GaAs的研究".稀有金属 .02(1988). |
入库方式： OAI收割
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