U型槽隔离技术研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 谢明纲 ; 何德湛 ; 陈明琪 ; 吴佛春 |
| 刊名 | 微电子学与计算机
 |
| 出版日期 | 1987 |
| 期号 | 07 |
| ISSN号 | 1000-7180 |
| 中文摘要 | 本文报导的U 型槽隔离技术,是采用反应离子刻蚀形成U 型槽,然后用多晶硅填槽,其多晶硅是用3—5%的SiH(?)与超纯氢的混合物在600-650℃下热分解生成的,典型生长速率为300-500(?)/min。采用此技术研制的双极型集成电路,取得了好的等平面隔离效果.所研制出的电路,每门延迟时间为0.8-0.9ns(其中,最快达350ps) |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104320]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谢明纲,何德湛,陈明琪,等. U型槽隔离技术研究[J]. 微电子学与计算机,1987(07). |
| APA | 谢明纲,何德湛,陈明琪,&吴佛春.(1987).U型槽隔离技术研究.微电子学与计算机(07). |
| MLA | 谢明纲,et al."U型槽隔离技术研究".微电子学与计算机 .07(1987). |
入库方式： OAI收割
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