XUV成像系统中像传递函数研究用的Si刻蚀膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 周斌 ; 孙骐 ; 韩明 ; 熊斌 ; 吴广明 ; 黄耀东 ; 沈军 |
| 刊名 | 强激光与粒子束
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| 出版日期 | 2005 |
| 期号 | 01 |
| 关键词 | K1 像传递函数 离子束刻蚀 Si刻蚀膜 |
| ISSN号 | 1001-4322 |
| 其他题名 | T1 XUV成像系统中像传递函数研究用的Si刻蚀膜 |
| 中文摘要 | 研制具有网格或条状图形的Si刻蚀膜靶,用于XUV系统中像传递函数的研究。在自截止腐蚀 工艺制备Si平面薄膜的基础上,结合离子束刻蚀工艺,获得刻蚀深度为1.0μm左右,网格尺寸为25μm×25 μm,或条状线宽为5μm的Si刻蚀膜;测量了Si刻蚀膜的形貌和刻蚀深度;研究了离子束刻蚀参数对图形形貌 的影响。并介绍采用两种靶型获得的像传递函数信息。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104334]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周斌,孙骐,韩明,等. XUV成像系统中像传递函数研究用的Si刻蚀膜[J]. 强激光与粒子束,2005(01). |
| APA | 周斌.,孙骐.,韩明.,熊斌.,吴广明.,...&沈军.(2005).XUV成像系统中像传递函数研究用的Si刻蚀膜.强激光与粒子束(01). |
| MLA | 周斌,et al."XUV成像系统中像传递函数研究用的Si刻蚀膜".强激光与粒子束 .01(2005). |
入库方式： OAI收割
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