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Y稳定的ZrO_2薄膜双轴取向生长的Monte Carlo研究

文献类型:期刊论文

作者江炳尧 ; 牟海川 ; 毛应俊 ; 任琮欣 ; 柳襄怀 ; 张宏
刊名低温物理学报
出版日期1998
期号05
ISSN号1000-3258
中文摘要本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入ZrO2单晶所引起的原子级联碰撞过程.模拟结果表明,Ar+离子沿[111]轴沟道方向入射的溅射率低于沿[101]轴沟道方向入射的溅射率,更低于沿非沟道方向入射的溅射率.Ar+离子沿沟道方向入射的溅射率与非沟道方向入射的溅射率的差别随着Ar+离子入射能量的增大而迅速增大.因此在薄膜生长的过程中,若用一定能量的离子束以一定的入射角度进行轰击,薄膜中那些低指数晶向对准离子入射方向的晶粒,其溅射率和损伤程度较小.这些晶粒能保存下来并继续生长,而其它的晶粒由于其
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104372]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
江炳尧,牟海川,毛应俊,等. Y稳定的ZrO_2薄膜双轴取向生长的Monte Carlo研究[J]. 低温物理学报,1998(05).
APA 江炳尧,牟海川,毛应俊,任琮欣,柳襄怀,&张宏.(1998).Y稳定的ZrO_2薄膜双轴取向生长的Monte Carlo研究.低温物理学报(05).
MLA 江炳尧,et al."Y稳定的ZrO_2薄膜双轴取向生长的Monte Carlo研究".低温物理学报 .05(1998).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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