Zn在InP中低温扩散的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张桂成 ; 徐少华 ; 水海龙 |
| 刊名 | 电子科学学刊
 |
| 出版日期 | 1983 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1009-5896 |
| 中文摘要 | 本文用Zn_3P_2源在闭管条件下研究了Zn在InP中的低温(520—700℃)扩散。比较了用“等温”扩散和“双温区”扩散技术扩散后,样品的电学参数。结果表明:“双温区”扩散法可得到表面光亮,无损伤的高浓度表面层。该法已用于InGaAsP/InP双异质结发光管的制备工艺中,并制得了光功率≥1mW,串联电阻2—3Ω的发光管。还讨论了Zn在InP中扩散时的行为,解释了低温(550℃)扩散过程中,等温扩散时出现的异常现象。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104379]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张桂成,徐少华,水海龙. Zn在InP中低温扩散的研究[J]. 电子科学学刊,1983(02). |
| APA | 张桂成,徐少华,&水海龙.(1983).Zn在InP中低温扩散的研究.电子科学学刊(02). |
| MLA | 张桂成,et al."Zn在InP中低温扩散的研究".电子科学学刊 .02(1983). |
入库方式： OAI收割
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