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β-FeSi_2/SIMOX──一种新结构的光电子材料

文献类型:期刊论文

作者王连卫 ; 沈勤我 ; 林贤 ; 林成鲁 ; 邹世昌 ; 庄志诚
刊名半导体学报
出版日期1996
期号04
ISSN号02534177
中文摘要本文采用固相外延法在SIMOX衬底上生长了β-FeSi2薄膜,采用X射线衍射(XRD),卢瑟辐背散射(RBS)以及自动扩展电阻测量研究了样品的多层结构,Raman谱表征说明它与直接在硅片上生长的薄膜具有类似的晶格振动特性.
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104388]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
王连卫,沈勤我,林贤,等. β-FeSi_2/SIMOX──一种新结构的光电子材料[J]. 半导体学报,1996(04).
APA 王连卫,沈勤我,林贤,林成鲁,邹世昌,&庄志诚.(1996).β-FeSi_2/SIMOX──一种新结构的光电子材料.半导体学报(04).
MLA 王连卫,et al."β-FeSi_2/SIMOX──一种新结构的光电子材料".半导体学报 .04(1996).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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