β－FeSi_2薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 倪如山 ; 王连卫 ; 沈勤我 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 电子显微学报
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| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 06 |
| ISSN号 | 10006281 |
| 中文摘要 | β－ＦｅＳｉ２薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析倪如山王连卫沈勤我林成鲁（中国科学院上海冶金研究所，上海２０００５０）由于β－ＦｅＳｉ２具有Ｅｇ＝０．８５０．８７ｅＶ的直接带隙，并能在硅表面外延，被认为是一种潜在的光电子材料，为实现光电子器件与ＶＬＳ... |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104389]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倪如山,王连卫,沈勤我,等. β－FeSi_2薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析[J]. 电子显微学报,1996(06). |
| APA | 倪如山,王连卫,沈勤我,&林成鲁.(1996).β－FeSi_2薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析.电子显微学报(06). |
| MLA | 倪如山,et al."β－FeSi_2薄膜的反应沉积外延膜的剖面结构分析".电子显微学报 .06(1996). |
入库方式： OAI收割
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