γ-Fe_2O_3薄膜的制备及其矫顽力的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 沈德芳 ; 莫中义 ; 夏诚忠 |
| 刊名 | 磁记录材料
 |
| 出版日期 | 1985 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1009-5624 |
| 中文摘要 | <正> 为提高磁盘的记录密度,必须使存储介质有高的矫顽力、低的Br/Hc值和薄的磁层。目前大多数磁盘采用涂布γ-Fe_2O_3的非连续介质。随记录密度的提高,涂布磁层已从8μm减至0.7μm左右。此厚度已接近极限值,如再减薄时磁层将出现针孔而导致漏码。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104392]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沈德芳,莫中义,夏诚忠. γ-Fe_2O_3薄膜的制备及其矫顽力的研究[J]. 磁记录材料,1985(01). |
| APA | 沈德芳,莫中义,&夏诚忠.(1985).γ-Fe_2O_3薄膜的制备及其矫顽力的研究.磁记录材料(01). |
| MLA | 沈德芳,et al."γ-Fe_2O_3薄膜的制备及其矫顽力的研究".磁记录材料 .01(1985). |
入库方式： OAI收割
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