γ射线辐照对MOS/SIMNI器件电学性能的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林成鲁 ; 李金华 ; 金雨青 ; 林梓鑫 ; 邹世昌 |
| 刊名 | 核技术
 |
| 出版日期 | 1991 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0253-3219 |
| 中文摘要 | 利用N~+注入形成的SIMNI与激光再结晶的SOI材料制作了MOS器件,比较研究了~(60)Co γ射线辐照对两种SOI材料制作的MOS器件电学性能的影响。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104395]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林成鲁,李金华,金雨青,等. γ射线辐照对MOS/SIMNI器件电学性能的影响[J]. 核技术,1991(01). |
| APA | 林成鲁,李金华,金雨青,林梓鑫,&邹世昌.(1991).γ射线辐照对MOS/SIMNI器件电学性能的影响.核技术(01). |
| MLA | 林成鲁,et al."γ射线辐照对MOS/SIMNI器件电学性能的影响".核技术 .01(1991). |
入库方式： OAI收割
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