δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性
文献类型：期刊论文
| 作者 | 陈建新 ; 李爱珍 ; 齐鸣 ; 任尧成 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
 |
| 出版日期 | 1996 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 10074252 |
| 中文摘要 | 本文用ＧＳＭＢＥ技术生长纯度ＧａＡｓ和δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ结构二维电子气材料并对其电学性能进行了研究。对于纯度ＧａＡｓ的ＧＳＭＢＥ生长和研究，在低掺Ｓｉ时，载流子浓度为２×１０~（１４）ｃｍ~（－３），７７Ｋ时的迁移率可达８４，０００ｃｍ~２／Ｖ．ｓ。对于用ＧＳＭＢＥ技术生长的δ－掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ_ｘＧａ_（１－ｘ）Ａｓ二维电子气材料，在优化了材料结构和生长工艺后，得到了液氮温度和６Ｋ迁移率分别为１７３，５８３ｃｍ~２／Ｖ．５和７．６７×１０~５ｃｍ~２／Ｖ．ｓ的高质量ＧａＡｓ |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104397]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈建新,李爱珍,齐鸣,等. δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性[J]. 功能材料与器件学报,1996(02). |
| APA | 陈建新,李爱珍,齐鸣,&任尧成.(1996).δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性.功能材料与器件学报(02). |
| MLA | 陈建新,et al."δ－掺杂GaAs／AlxGa_（1－x）As二维电子气结构材料的GSMBE生长与特性".功能材料与器件学报 .02(1996). |
入库方式： OAI收割
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