白光快速退火注Si￣＋砷化镓的X射线双晶衍射谱
文献类型：期刊论文
| 作者 | 顾宏 ; 夏冠群 ; 陈京一 ; 朱南昌 ; 沈鸿烈 ; 周祖尧 |
| 刊名 | 应用科学学报
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 02558297 |
| 中文摘要 | 对注Ｓｉ￣＋的ＧａＡｓ样品（注入能量１８０ｋｅＶ、剂量５×ｌ０￣（１２）～１０￣（１５）ｃｍ￣（－２）采用白光快速退火，测量其χ射线双晶衍射谱并结合背散射，Ｈａｌｌ测量结果，分析了注入引起的应变及掺杂机理。根据电学测量结果用迁移率理论计算了补偿比．结果表明：ＧａＡｓ中Ｓｉ￣＋注入掺杂，在低剂量注入时，Ｓｉ的两性是影响激活率的主要原因；高剂量注入时，残留间隙Ｓｉ原子的存在是导致激活率低的主要因素。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104404]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 顾宏,夏冠群,陈京一,等. 白光快速退火注Si￣＋砷化镓的X射线双晶衍射谱[J]. 应用科学学报,1995(01). |
| APA | 顾宏,夏冠群,陈京一,朱南昌,沈鸿烈,&周祖尧.(1995).白光快速退火注Si￣＋砷化镓的X射线双晶衍射谱.应用科学学报(01). |
| MLA | 顾宏,et al."白光快速退火注Si￣＋砷化镓的X射线双晶衍射谱".应用科学学报 .01(1995). |
入库方式： OAI收割
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