半导体量子阱中自由激子稳态荧光特征
文献类型：期刊论文
| 作者 | 金世荣 ; 郑燕兰 ; 林春 ; 钟金权 ; 李爱珍 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 在不同晶格温度和不同激发光强度下，测量了四元系ＧａＩｎＡｓＳｂ／ＧａＡｌＡｓＳｂ单量子阱中自由激子的荧光光谱，导出了稳态光谱测量条件下自由激子荧光强度与激发光强度和晶格温度的一般性公式．计算结果表明，激子相对占有数引起的温度和密度效应会影响激子发光的强度关系．根据本文的简单模型，线性比例系数Ｉ／Ｉ０实际上综合地反映了量子阱中自由激子的荧光效率，而从激子荧光强度的Ａｒｈｅｎｉｕｓ图的最佳拟合中不仅可以得到激子的束缚能和激活能，而且还能估计出量子阱材料的本底浓度和散射时间常数． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104426]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金世荣,郑燕兰,林春,等. 半导体量子阱中自由激子稳态荧光特征[J]. 物理学报,1998(01). |
| APA | 金世荣,郑燕兰,林春,钟金权,&李爱珍.(1998).半导体量子阱中自由激子稳态荧光特征.物理学报(01). |
| MLA | 金世荣,et al."半导体量子阱中自由激子稳态荧光特征".物理学报 .01(1998). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。