半绝缘GaAs单晶中的微沉淀
文献类型：期刊论文
| 作者 | 莫培根 ; 朱健 ; 吴巨 |
| 刊名 | 稀有金属
 |
| 出版日期 | 1989 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 利用 JEM-200CX 透射电子显微镜观察了原生未掺杂及掺铟的半绝缘 GaAs 单晶中的微沉淀相,发现含位错的晶体中均有 GaAs 的微多晶粒沉淀相,大小在5～100nm 不等。根据 EDXA 分析,这些微多晶粒是富砷的 GaAs,富砷的程度掺铟的比未掺的严重。沉淀相可能是由于晶体生长时,生长界面局部组份过冷所引起。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104431]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 莫培根,朱健,吴巨. 半绝缘GaAs单晶中的微沉淀[J]. 稀有金属,1989(01). |
| APA | 莫培根,朱健,&吴巨.(1989).半绝缘GaAs单晶中的微沉淀.稀有金属(01). |
| MLA | 莫培根,et al."半绝缘GaAs单晶中的微沉淀".稀有金属 .01(1989). |
入库方式： OAI收割
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