半绝缘GaAs中EPR“As_(Ga)”与EL2两种缺陷的对应关系实验研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 汪光裕 ; 邹元爔 ; S.Benakki ; A.Goltzene ; C.Schwab |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 1988 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 中文摘要 | 为了进一步阐明半绝缘液封直拉(SI LEC)GaAs中EL_2缺陷的本质,本文结合GaAs中有关点缺陷的形成机理进行了EPR“A_(SG_a)”及EL_2两种缺陷的对应关系实验,实验结果可用EL_2的A_(SG_a)V_A_(?)V_G_a原子构型及其应变模型形成机理较好的解释。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104432]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 汪光裕,邹元爔,S.Benakki,等. 半绝缘GaAs中EPR“As_(Ga)”与EL2两种缺陷的对应关系实验研究[J]. 固体电子学研究与进展,1988(01). |
| APA | 汪光裕,邹元爔,S.Benakki,A.Goltzene,&C.Schwab.(1988).半绝缘GaAs中EPR“As_(Ga)”与EL2两种缺陷的对应关系实验研究.固体电子学研究与进展(01). |
| MLA | 汪光裕,et al."半绝缘GaAs中EPR“As_(Ga)”与EL2两种缺陷的对应关系实验研究".固体电子学研究与进展 .01(1988). |
入库方式： OAI收割
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