半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘汝萍 ; 夏冠群 ; 赵建龙 ; 翁建华 ; 张美圣 ; 郝幼申 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 设计了一套适用于二种工艺（离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺）的背栅效应测试版图，用选择离子注入形成有源层和欧姆接触区，在非掺杂的半绝缘ＧａＡｓ 衬底上制备ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴｓ 器件．研究了这二种不同工艺制备的ＭＥＳＦＥＴｓ 器件的背栅效应以及不同距离背栅电极的背栅效应大小．结果表明，采用离子注入隔离工艺制备的ＭＥＳＦＥＴｓ 器件的背栅效应要比采用半绝缘衬底自隔离工艺制备ＭＥＳＦＥＴｓ器件的背栅效应小，背栅效应的大小与距离近似成反比，采用隔离注入的背栅阈值电压随距离变化的趋势比采用衬底自隔离的更大 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104438]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘汝萍,夏冠群,赵建龙,等. 半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应[J]. 半导体学报,2000(01). |
| APA | 刘汝萍,夏冠群,赵建龙,翁建华,张美圣,&郝幼申.(2000).半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应.半导体学报(01). |
| MLA | 刘汝萍,et al."半绝缘非掺GaAs材料制备的MESFETs背栅效应".半导体学报 .01(2000). |
入库方式： OAI收割
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