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半熔融烧结靶直流磁控溅射外延生长YBCO超导薄膜

文献类型:期刊论文

作者任琮欣 ; 陈国樑 ; 李贻杰 ; 陈建民 ; 杨絜 ; 张骥华 ; 陈业新 ; 陈正秀 ; 汪乐 ; 邹世昌
刊名低温物理学报
出版日期1992
期号01
ISSN号1000-3258
中文摘要直流磁控溅射使用半熔融大直径平面烧结靶,在(100)SrTiO_3衬底上原位生长 YBa_2Cu_3·O_(7-δ)超导薄膜,可以很方便地和重复地获得临界电流密度高(J_c=3.4×10~6A/cm~2在77KB=0时)、微波表面电阻 R_s 较低(在77K,50.9GHz 时,R_s≤37mΩ)和均匀区较大的超导薄膜.X 光衍射,X 光双晶衍射摇摆曲线测量和透射电子显微镜分析结果表明,所得的 YBCO 薄膜为高度 c 取向的单晶外延膜.
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104440]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
任琮欣,陈国樑,李贻杰,等. 半熔融烧结靶直流磁控溅射外延生长YBCO超导薄膜[J]. 低温物理学报,1992(01).
APA 任琮欣.,陈国樑.,李贻杰.,陈建民.,杨絜.,...&邹世昌.(1992).半熔融烧结靶直流磁控溅射外延生长YBCO超导薄膜.低温物理学报(01).
MLA 任琮欣,et al."半熔融烧结靶直流磁控溅射外延生长YBCO超导薄膜".低温物理学报 .01(1992).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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