薄GaAs层化学腐蚀及它的表面结构
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴鼎芬 ; 徐梅娣 ; 金伟 ; 缪洁华 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
 |
| 出版日期 | 1985 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 中文摘要 | 用pH=7±O.05的H_2O_2-NH_4OH溶液,在5±1℃,对晶句是(100)的高阻或浓度为2×10~(13)cm~(-3)的n型GaAs衬底进行腐蚀试验.发现腐蚀速率不但与搅拌有关,且在最初半分钟左右或开始250～500(?)的GaAs腐蚀,其腐蚀速率比更长时问或更深腐蚀时要快得多.分析表明,NH_4OH向GaAs与溶体界面的扩散很可能是腐蚀过程的限制步骤.对腐蚀后的残余氧化层进行测试分析,认为化学腐蚀后在表面有一层极薄的氧化物层,接着是过渡层.用HCI或NH_4OH水溶液清洗则可去除氧化物层并缩 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104465]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴鼎芬,徐梅娣,金伟,等. 薄GaAs层化学腐蚀及它的表面结构[J]. 固体电子学研究与进展,1985(04). |
| APA | 吴鼎芬,徐梅娣,金伟,&缪洁华.(1985).薄GaAs层化学腐蚀及它的表面结构.固体电子学研究与进展(04). |
| MLA | 吴鼎芬,et al."薄GaAs层化学腐蚀及它的表面结构".固体电子学研究与进展 .04(1985). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。