薄SiO_2层击穿特性与临界陷阱密度
文献类型：期刊论文
| 作者 | 林立谨 ; 张敏 |
| 刊名 | 电子学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 08 |
| ISSN号 | 0372-2112 |
| 中文摘要 | 薄栅氧化层的退化、击穿与氧化层中和界面陷阱的产生相关 .本文研究了在恒电流TDDB(Time Depen dentDielectricBreakdown)应力条件下 8 9nm薄氧化层的电学特性退化、击穿情况 .研究表明 ,电子在穿越SiO2 晶格时与晶格相互作用产生陷阱 ,当陷阱密度达到某一临界密度Nbd时 ,氧化层就击穿 .Nbd可以用来表征氧化层的质量 ,与测试电流密度无关 .击穿电量Qbd随测试电流密度增大而减小可用陷阱产生速率的增长解释 .临界陷阱密度Nbd随测试MOS电容面积增大而减小 ,这与 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104466]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 林立谨,张敏. 薄SiO_2层击穿特性与临界陷阱密度[J]. 电子学报,2000(08). |
| APA | 林立谨,&张敏.(2000).薄SiO_2层击穿特性与临界陷阱密度.电子学报(08). |
| MLA | 林立谨,et al."薄SiO_2层击穿特性与临界陷阱密度".电子学报 .08(2000). |
入库方式： OAI收割
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