薄膜厚度对NiO/NiFe/Cu/NiFe自旋阀多层膜的磁阻效应的影响
文献类型:期刊论文
作者 | 吴丹丹 ; 李佐宜 ; 邱进军 ; 卢志红 |
刊名 | 磁记录材料
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出版日期 | 1999 |
期号 | 01 |
关键词 | K1 磁阻效应 矫顽力 交换耦合场 |
ISSN号 | 1004-5155 |
其他题名 | T1 薄膜厚度对NiO/NiFe/Cu/NiFe自旋阀多层膜的磁阻效应的影响 |
中文摘要 | 用射频磁控溅射方法制备多层膜,研究了双层膜NiO/NiFe的矫顽力Hc和交换耦合场Hex与反铁磁层NiO、铁磁层NiFe厚度的关系。结果表明:NiO厚度为70nm时,Hex最大;Hc随NiO厚度增大而增大。当NiFe厚度增加时,Hex近似线性减小;而矫顽力则随NiFe厚度增大开始有缓慢增加,然后才减小。对于NiO(70nm)/NiFe(t1nm)/Cu(2.2nm)/NiFe(t2nm)自旋阀多层膜材料,研究了NiFe膜厚度对磁阻效应的影响。结果表明:被钉扎层NiFe的厚度为3nm时,自由层NiFe的厚度 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2012-03-29 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104472] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴丹丹,李佐宜,邱进军,等. 薄膜厚度对NiO/NiFe/Cu/NiFe自旋阀多层膜的磁阻效应的影响[J]. 磁记录材料,1999(01). |
APA | 吴丹丹,李佐宜,邱进军,&卢志红.(1999).薄膜厚度对NiO/NiFe/Cu/NiFe自旋阀多层膜的磁阻效应的影响.磁记录材料(01). |
MLA | 吴丹丹,et al."薄膜厚度对NiO/NiFe/Cu/NiFe自旋阀多层膜的磁阻效应的影响".磁记录材料 .01(1999). |
入库方式: OAI收割
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