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薄膜厚度对NiO/NiFe/Cu/NiFe自旋阀多层膜的磁阻效应的影响

文献类型:期刊论文

作者吴丹丹 ; 李佐宜 ; 邱进军 ; 卢志红
刊名磁记录材料
出版日期1999
期号01
关键词K1 磁阻效应 矫顽力 交换耦合场
ISSN号1004-5155
其他题名T1 薄膜厚度对NiO/NiFe/Cu/NiFe自旋阀多层膜的磁阻效应的影响
中文摘要用射频磁控溅射方法制备多层膜,研究了双层膜NiO/NiFe的矫顽力Hc和交换耦合场Hex与反铁磁层NiO、铁磁层NiFe厚度的关系。结果表明:NiO厚度为70nm时,Hex最大;Hc随NiO厚度增大而增大。当NiFe厚度增加时,Hex近似线性减小;而矫顽力则随NiFe厚度增大开始有缓慢增加,然后才减小。对于NiO(70nm)/NiFe(t1nm)/Cu(2.2nm)/NiFe(t2nm)自旋阀多层膜材料,研究了NiFe膜厚度对磁阻效应的影响。结果表明:被钉扎层NiFe的厚度为3nm时,自由层NiFe的厚度
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104472]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
吴丹丹,李佐宜,邱进军,等. 薄膜厚度对NiO/NiFe/Cu/NiFe自旋阀多层膜的磁阻效应的影响[J]. 磁记录材料,1999(01).
APA 吴丹丹,李佐宜,邱进军,&卢志红.(1999).薄膜厚度对NiO/NiFe/Cu/NiFe自旋阀多层膜的磁阻效应的影响.磁记录材料(01).
MLA 吴丹丹,et al."薄膜厚度对NiO/NiFe/Cu/NiFe自旋阀多层膜的磁阻效应的影响".磁记录材料 .01(1999).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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