薄栅介质层可靠性与陷阱统计分析
文献类型：期刊论文
| 作者 | 姚峰英 ; 胡恒升 ; 张敏 |
| 刊名 | 电子学报
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 11 |
| ISSN号 | 0372-2112 |
| 中文摘要 | 本文以高电场 ( >11 8MV/cm)恒电流TDDB为手段研究了厚度为 7 6、10 3、12 5、14 5nm薄氧化层的击穿统计特性 .实验分析表明在加速失效实验中测量击穿电量Qbd的同时 ,还可以测量击穿时的栅电压增量ΔVbd.因为ΔVbd的统计分布反映了栅介质层中带电陷阱的数量及其位置分布 ,可以表征栅介质层的质量和均匀性 .此外由Qbd和ΔVbd能够较合理地计算临界陷阱密度Nbd.实验结果表明本征击穿时Nbd与测试条件无关而随工艺和介质层厚度变化 .同样厚度时Nbd反映不同工艺生成的介质质 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104478]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 姚峰英,胡恒升,张敏. 薄栅介质层可靠性与陷阱统计分析[J]. 电子学报,2001(11). |
| APA | 姚峰英,胡恒升,&张敏.(2001).薄栅介质层可靠性与陷阱统计分析.电子学报(11). |
| MLA | 姚峰英,et al."薄栅介质层可靠性与陷阱统计分析".电子学报 .11(2001). |
入库方式： OAI收割
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