不同工艺下GaAs MESFET阈值电压均匀性的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘汝萍 ; 夏冠群 ; 赵建龙 ; 吴剑萍 ; 詹琰 |
| 刊名 | 固体电子学研究与进展
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| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 1000-3819 |
| 中文摘要 | 分别采用挖槽工艺和平面选择离子注入自隔离工艺对 Ga As MESFET Vth(阈值电压 )均匀性进行了研究。结果表明 ,采用平面工艺方法获得的 Ga As单晶 MESFET Vth均匀性与采用挖槽工艺相比 ,更能反映单晶材料质量的实际情况 ,Ga As单晶 MESFET Vth均匀性研究宜采用平面工艺 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104479]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘汝萍,夏冠群,赵建龙,等. 不同工艺下GaAs MESFET阈值电压均匀性的研究[J]. 固体电子学研究与进展,2001(04). |
| APA | 刘汝萍,夏冠群,赵建龙,吴剑萍,&詹琰.(2001).不同工艺下GaAs MESFET阈值电压均匀性的研究.固体电子学研究与进展(04). |
| MLA | 刘汝萍,et al."不同工艺下GaAs MESFET阈值电压均匀性的研究".固体电子学研究与进展 .04(2001). |
入库方式： OAI收割
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