不同工艺制备的GaAs MESFET阈值电压均匀性研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 李传海 ; 毛友德 ; 丁勇 ; 刘汝萍 ; 夏冠群 |
| 刊名 | 半导体情报
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| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1001-5007 |
| 中文摘要 | 分别采用离子注入隔离凹栅工艺、自隔离平面工艺、离子注入隔离平面工艺在非掺杂半绝缘 Ga As衬底上制备 MESFET,对三种工艺制备的 MESFET的阈值电压均匀性进行了研究。结果表明 ,器件工艺对 MESFET阈值电压有一定的影响 ,开展 Ga As MESFET阈值电压均匀性研究应采用适宜的工艺 ,以尽可能减少工艺引起的偏差。 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104480]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李传海,毛友德,丁勇,等. 不同工艺制备的GaAs MESFET阈值电压均匀性研究[J]. 半导体情报,2001(01). |
| APA | 李传海,毛友德,丁勇,刘汝萍,&夏冠群.(2001).不同工艺制备的GaAs MESFET阈值电压均匀性研究.半导体情报(01). |
| MLA | 李传海,et al."不同工艺制备的GaAs MESFET阈值电压均匀性研究".半导体情报 .01(2001). |
入库方式： OAI收割
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