不同生长温度下Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料结构的X射线双晶衍射研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 朱南昌 ; 陈京一 ; 李润射 ; 许顺生 ; 周国良 ; 张翔九 ; 俞鸣人 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 1995 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 02534177 |
| 中文摘要 | 本文通过Ｘ射线双晶衍射和双晶摇摆曲线的计算机模拟方法研究了在Ｓｉ（００１）上生长的Ｇｅ０．５Ｓｉ０．５／Ｓｉ应变层超晶格的结构及其完整性，结果表明：在３５０－５５０℃的低温生长条件下，可生长出较高质量的超晶棺材料，并且在３５０℃时质量最好．在这些样品的生长过程中界面上产生了不同程度的失配位错，并与生长温度有关．周期厚度有４％以内的波动，层与层之间有轻微的混元，观察到了超晶格卫星衍射峰的分裂现象，并进行了讨论． |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104485]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱南昌,陈京一,李润射,等. 不同生长温度下Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料结构的X射线双晶衍射研究[J]. 半导体学报,1995(02). |
| APA | 朱南昌.,陈京一.,李润射.,许顺生.,周国良.,...&俞鸣人.(1995).不同生长温度下Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料结构的X射线双晶衍射研究.半导体学报(02). |
| MLA | 朱南昌,et al."不同生长温度下Ge_（0．5）Si_（0．5）／Si应变层超晶格材料结构的X射线双晶衍射研究".半导体学报 .02(1995). |
入库方式： OAI收割
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