采用SF_6+O_2反应离子刻蚀聚酰亚胺膜
文献类型：期刊论文
| 作者 | 孙承龙 ; 杜根娣 ; 郭方敏 ; 陈思琴 ; 林绥娟 ; 胡素英 |
| 刊名 | 应用科学学报
 |
| 出版日期 | 1993 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0255-8297 |
| 中文摘要 | 报道了在O_2或SF_6+O_2混合气体中反应离子刻蚀聚酰亚胺的基本原理.使用牛津等离子科技公司的Plasmalab μp型刻蚀仪,对厚度0—4μm的聚酰正胺膜,进行各向异性的刻蚀,获得了侧墙陡直的微细图形. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104501]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 孙承龙,杜根娣,郭方敏,等. 采用SF_6+O_2反应离子刻蚀聚酰亚胺膜[J]. 应用科学学报,1993(01). |
| APA | 孙承龙,杜根娣,郭方敏,陈思琴,林绥娟,&胡素英.(1993).采用SF_6+O_2反应离子刻蚀聚酰亚胺膜.应用科学学报(01). |
| MLA | 孙承龙,et al."采用SF_6+O_2反应离子刻蚀聚酰亚胺膜".应用科学学报 .01(1993). |
入库方式： OAI收割
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