采用不同工艺的CMOS钟电路分析及设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 余宽豪 ; 须国宗 |
| 刊名 | 半导体技术
 |
| 出版日期 | 1997 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1003-353X |
| 中文摘要 | 对早期开发的铝栅ＣＭＯＳ４．１９ＭＨｚ钟电路和近期研制的硅栅ＣＭＯＳ４．１９ＭＨｚ钟电路进行了详细分析比较。随着工艺技术的不断提高和设计改进，使得电路在降低功耗、减小面积方面更加完善，从而提高性能价格比，适应市场不断发展的需求 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104502]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 余宽豪,须国宗. 采用不同工艺的CMOS钟电路分析及设计[J]. 半导体技术,1997(03). |
| APA | 余宽豪,&须国宗.(1997).采用不同工艺的CMOS钟电路分析及设计.半导体技术(03). |
| MLA | 余宽豪,et al."采用不同工艺的CMOS钟电路分析及设计".半导体技术 .03(1997). |
入库方式： OAI收割
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