掺Cr半绝缘GaAs中Si离子注入的载流子分布尾研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王渭源 ; 夏冠群 ; 卢建国 ; 邵永富 ; 乔墉 |
| 刊名 | 物理学报
 |
| 出版日期 | 1985 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 1000-3290 |
| 中文摘要 | 本文研究了掺Cr半绝缘GaAs中~(28)Si~+注入后的载流子浓度分布尾,包括退火温度和时间的影响。应用计算机模拟了分布尾对GaAs MESFET器件输出特性的影响,与实测结果符合,表明分布尾会造成器件输出特性异常。 讨论了产生分布尾的原因,认为与GaAs衬底中残留Si等浅施主杂质和高温退火时Cr再分布有关。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104521]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王渭源,夏冠群,卢建国,等. 掺Cr半绝缘GaAs中Si离子注入的载流子分布尾研究[J]. 物理学报,1985(03). |
| APA | 王渭源,夏冠群,卢建国,邵永富,&乔墉.(1985).掺Cr半绝缘GaAs中Si离子注入的载流子分布尾研究.物理学报(03). |
| MLA | 王渭源,et al."掺Cr半绝缘GaAs中Si离子注入的载流子分布尾研究".物理学报 .03(1985). |
入库方式： OAI收割
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