掺F提高Bi系超导体T_c的量子化学研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘洪霖 ; 陈念贻 ; 尹周澜 ; 高孝恢 |
| 刊名 | 化学物理学报
 |
| 出版日期 | 1992 |
| 期号 | 02 |
| ISSN号 | 1003-7713 |
| 中文摘要 | 本文讨论了F代O的可能位置,并用DV-X_α方法计算了不合F与含F的Bi系超导氧化物原子簇,得到F代O后体系电荷迁移,态密度分布的变化,表明CuO面的Op空穴数增加,Cu-O键增强、束缚的σ电子态向运动的π电子态接近等是掺F引起Bi系超导体T_c提高的原因。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104522]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘洪霖,陈念贻,尹周澜,等. 掺F提高Bi系超导体T_c的量子化学研究[J]. 化学物理学报,1992(02). |
| APA | 刘洪霖,陈念贻,尹周澜,&高孝恢.(1992).掺F提高Bi系超导体T_c的量子化学研究.化学物理学报(02). |
| MLA | 刘洪霖,et al."掺F提高Bi系超导体T_c的量子化学研究".化学物理学报 .02(1992). |
入库方式： OAI收割
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