掺Ge的p型Ga(1-x)Al_xAs缺陷能级
文献类型：期刊论文
| 作者 | 王绍渤 ; 吴瑞娣 |
| 刊名 | 仪表材料
 |
| 出版日期 | 1983 |
| 期号 | 05 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| 中文摘要 | 本文中,我们对液相外延生长的掺Ge-p型Ga_(1-x)Al_xAs(x<0.4)作了77K的光致发光测定。确定了与Ge有关的三个光谱峰,其能量分别是E_G=1.17x+1.48eV,1.46-1.47eV和～1.53eV。E_G是Ge受主能级;1.46-1.47eV是Ge与砷空位(V_(As))的络合物;～1.53eV是否Ge与铝空位(V_(Al))或镓空位(V_(Ga))形成络合物产生的受主能级有待继续研究。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104523]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王绍渤,吴瑞娣. 掺Ge的p型Ga(1-x)Al_xAs缺陷能级[J]. 仪表材料,1983(05). |
| APA | 王绍渤,&吴瑞娣.(1983).掺Ge的p型Ga(1-x)Al_xAs缺陷能级.仪表材料(05). |
| MLA | 王绍渤,et al."掺Ge的p型Ga(1-x)Al_xAs缺陷能级".仪表材料 .05(1983). |
入库方式： OAI收割
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