掺硫低位错磷化铟单晶生长和性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 方敦辅 ; 王祥熙 ; 徐涌泉 ; 缪涵英 ; 牟盘健 |
| 刊名 | 应用科学学报
 |
| 出版日期 | 1983 |
| 期号 | 03 |
| ISSN号 | 0255-8297 |
| 中文摘要 | 在高压液封直拉(LEC)法生长InP单晶时,利用杂质效应掺入硫,可以有效地降低位错密度.当载流子浓度达3×10~(18) cm~(-3)时,位错密度降低到10~8cm~(-2)左右,此时补偿比在0.1～0.3之间.硫在InP中的有效分配系数为0.68.掺硫InP单晶具有较好的径向及纵向均匀性,这将给稳定器件工艺及提高材料利用率带来好处. |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104533]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 方敦辅,王祥熙,徐涌泉,等. 掺硫低位错磷化铟单晶生长和性质[J]. 应用科学学报,1983(03). |
| APA | 方敦辅,王祥熙,徐涌泉,缪涵英,&牟盘健.(1983).掺硫低位错磷化铟单晶生长和性质.应用科学学报(03). |
| MLA | 方敦辅,et al."掺硫低位错磷化铟单晶生长和性质".应用科学学报 .03(1983). |
入库方式： OAI收割
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