掺杂 Bi_4Ge_3O_(12)晶体的生长和磁光性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 冯锡淇 ; 殷之文 ; 刘建成 ; 胡关钦 ; 阮元绩 |
| 刊名 | 无机材料学报
 |
| 出版日期 | 1991 |
| 期号 | 04 |
| 关键词 | K1 掺杂 BGO 晶体生长 磁光性质 |
| ISSN号 | 1000-324X |
| 其他题名 | T1 掺杂 Bi_4Ge_3O_(12)晶体的生长和磁光性质 |
| 中文摘要 | 大的法拉第旋转和波长范围很宽的高透过率表明 Bi_4Ge_3O_(12)(BGO)晶体在磁光应用方面很有价值。我们已用坩埚下降法生长了纯的和掺杂 BGO∶M(M=Fe,Cr,Ni,W,Mn,Ce,Gd,Er 和 Nd)晶体,并测量了它们的 Verdet 常数和光吸收谱,给出了 BGO 磁光器件原型的初步实验结果。此外,简略地讨论了BGO 的光损伤问题。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104537]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冯锡淇,殷之文,刘建成,等. 掺杂 Bi_4Ge_3O_(12)晶体的生长和磁光性质[J]. 无机材料学报,1991(04). |
| APA | 冯锡淇,殷之文,刘建成,胡关钦,&阮元绩.(1991).掺杂 Bi_4Ge_3O_(12)晶体的生长和磁光性质.无机材料学报(04). |
| MLA | 冯锡淇,et al."掺杂 Bi_4Ge_3O_(12)晶体的生长和磁光性质".无机材料学报 .04(1991). |
入库方式： OAI收割
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