场发射阵列（FEA）的稳定性（S）和可靠性（R）的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 宋海波 ; 李琼 ; 刘新福 ; 袁美英 ; 徐静芳 ; 张段 ; 吴骏雷 ; 柳襄怀 |
| 刊名 | 电子器件
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| 出版日期 | 1994 |
| 期号 | 03 |
| 关键词 | K1 FEA器件 稳定性 可靠性 |
| ISSN号 | CN 321416TN |
| 中文摘要 | ＦＥＡ器件的性能由于半导体工艺水平和微机械加工技术的发展有了很大地提高。而其稳定和可靠性的研究是走向实用的必经过程。本文分析了温度、电压等因素对ＦＥＡ器件稳定和可靠性的影响。并研究了尖端发射表面功函数Φ、尖端发射面积Ｓ和尖端表面场强Ｅ与器件稳定性和可靠性的关系。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104541]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宋海波,李琼,刘新福,等. 场发射阵列（FEA）的稳定性（S）和可靠性（R）的研究[J]. 电子器件,1994(03). |
| APA | 宋海波.,李琼.,刘新福.,袁美英.,徐静芳.,...&柳襄怀.(1994).场发射阵列（FEA）的稳定性（S）和可靠性（R）的研究.电子器件(03). |
| MLA | 宋海波,et al."场发射阵列（FEA）的稳定性（S）和可靠性（R）的研究".电子器件 .03(1994). |
入库方式： OAI收割
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