超高真空电子束蒸发合成晶态AlN薄膜的研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 黄继颇 ; 王连卫 ; 高剑侠 ; 沈勤我 ; 林成鲁 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 1998 |
| 期号 | 04 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 用超高真空蒸发Ａｌ膜，结合氮化后处理工艺在Ｓｉ（１００）衬底上制备了ＡｌＮ晶态薄膜。用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、傅立叶变换红外光谱（ＦＴＩＲ）和Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）等测试分析技术研究了薄膜的微结构特征。结果表明：经过１００００Ｃ３０分钟氮化处理后，能形成具有（００２）择优取向的ＡｌＮ薄膜。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104551]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄继颇,王连卫,高剑侠,等. 超高真空电子束蒸发合成晶态AlN薄膜的研究[J]. 功能材料与器件学报,1998(04). |
| APA | 黄继颇,王连卫,高剑侠,沈勤我,&林成鲁.(1998).超高真空电子束蒸发合成晶态AlN薄膜的研究.功能材料与器件学报(04). |
| MLA | 黄继颇,et al."超高真空电子束蒸发合成晶态AlN薄膜的研究".功能材料与器件学报 .04(1998). |
入库方式： OAI收割
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