超高真空电子束蒸发在多孔硅上外延单晶硅
文献类型：期刊论文
| 作者 | 刘卫丽 ; 多新中 ; 张苗 ; 沈勤我 ; 王连卫 ; 林成鲁 ; 朱剑豪 |
| 刊名 | 功能材料
 |
| 出版日期 | 2001 |
| 期号 | 06 |
| 关键词 | K1 多孔硅 超高真空电子束蒸发 外延 单晶硅 |
| ISSN号 | 1001-9731 |
| 其他题名 | T1 超高真空电子束蒸发在多孔硅上外延单晶硅 |
| 中文摘要 | 采用超高真空电子束蒸发的方法在用阳极氧化制备的多孔硅衬底上外延单晶硅 ,研究了不同多孔硅衬底对外延质量的影响。采用高能电子衍射表征外延层的晶体结构 ,截面透射电镜表征材料的微结构 ,原子力显微镜表征外延层表面的粗糙度 ,卢瑟福背散射 /沟道表征外延层晶体质量 ,扩展电阻表征材料的电学性能。一系列的测试结果表明对于在 5mA/cm2 电流密度下阳极氧化 10min形成的多孔硅衬底 ,可用超高真空电子束蒸发的方法外延出质量良好的单晶硅 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104552]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘卫丽,多新中,张苗,等. 超高真空电子束蒸发在多孔硅上外延单晶硅[J]. 功能材料,2001(06). |
| APA | 刘卫丽.,多新中.,张苗.,沈勤我.,王连卫.,...&朱剑豪.(2001).超高真空电子束蒸发在多孔硅上外延单晶硅.功能材料(06). |
| MLA | 刘卫丽,et al."超高真空电子束蒸发在多孔硅上外延单晶硅".功能材料 .06(2001). |
入库方式： OAI收割
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