处理石英舟生长半绝缘GaAs晶体及其性质
文献类型：期刊论文
| 作者 | 谭丽芳 ; 廖丽英 ; 谈祖惠 ; 陆启东 ; 邹元爔 |
| 刊名 | 稀有金属
 |
| 出版日期 | 1983 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 0258-7076 |
| 中文摘要 | 利用高铝管水平三温区炉研制半绝缘(SI)GaAs 晶体,由于采用了自制处理石英舟,因而获得了重复性、热稳定性较石英舟好的半绝缘晶体。处理舟晶体中的硅、氧、钾等杂质含量均较石英舟晶体低。与高压 LEC 热解氮化硼半绝缘晶体相比,其热稳定性是相近的。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104565]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谭丽芳,廖丽英,谈祖惠,等. 处理石英舟生长半绝缘GaAs晶体及其性质[J]. 稀有金属,1983(01). |
| APA | 谭丽芳,廖丽英,谈祖惠,陆启东,&邹元爔.(1983).处理石英舟生长半绝缘GaAs晶体及其性质.稀有金属(01). |
| MLA | 谭丽芳,et al."处理石英舟生长半绝缘GaAs晶体及其性质".稀有金属 .01(1983). |
入库方式： OAI收割
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