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处理石英舟生长半绝缘GaAs晶体及其性质

文献类型:期刊论文

作者谭丽芳 ; 廖丽英 ; 谈祖惠 ; 陆启东 ; 邹元爔
刊名稀有金属
出版日期1983
期号01
ISSN号0258-7076
中文摘要利用高铝管水平三温区炉研制半绝缘(SI)GaAs 晶体,由于采用了自制处理石英舟,因而获得了重复性、热稳定性较石英舟好的半绝缘晶体。处理舟晶体中的硅、氧、钾等杂质含量均较石英舟晶体低。与高压 LEC 热解氮化硼半绝缘晶体相比,其热稳定性是相近的。
语种中文
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104565]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
谭丽芳,廖丽英,谈祖惠,等. 处理石英舟生长半绝缘GaAs晶体及其性质[J]. 稀有金属,1983(01).
APA 谭丽芳,廖丽英,谈祖惠,陆启东,&邹元爔.(1983).处理石英舟生长半绝缘GaAs晶体及其性质.稀有金属(01).
MLA 谭丽芳,et al."处理石英舟生长半绝缘GaAs晶体及其性质".稀有金属 .01(1983).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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