垂直梯度凝固法生长半绝缘GaAs单晶的工艺研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 谈惠祖 ; 杜立新 ; 赵福川 |
| 刊名 | 功能材料与器件学报
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| 出版日期 | 2002 |
| 期号 | 01 |
| ISSN号 | 1007-4252 |
| 中文摘要 | 在国产三温区VGF单晶炉上,研究了非掺GaAs半绝缘单晶的液封垂直梯度凝固法生长技术。讨论了引晶、坩埚设计与质量、PBN坩埚的剥落、B2O3的水份控制等因素对单晶生长的影响,基本解决了VGF的工艺问题。通过多炉生长,得到了Φ2″=VGF非掺半绝缘低位错全单晶。 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104571]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谈惠祖,杜立新,赵福川. 垂直梯度凝固法生长半绝缘GaAs单晶的工艺研究[J]. 功能材料与器件学报,2002(01). |
| APA | 谈惠祖,杜立新,&赵福川.(2002).垂直梯度凝固法生长半绝缘GaAs单晶的工艺研究.功能材料与器件学报(01). |
| MLA | 谈惠祖,et al."垂直梯度凝固法生长半绝缘GaAs单晶的工艺研究".功能材料与器件学报 .01(2002). |
入库方式： OAI收割
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