膜厚对NiO/NiFe/Cu/NiFe磁阻效应的影响
文献类型：期刊论文
| 作者 | 吴丹丹 ; 李佐宜 ; 邱进军 ; 卢志红 |
| 刊名 | 华中理工大学学报
 |
| 出版日期 | 1999 |
| 期号 | 07 |
| ISSN号 | 1000-8616 |
| 中文摘要 | 用射频磁控溅射方法制备多层膜，研究了双层膜ＮｉＯ／ＮｉＦｅ的矫顽力Ｈｃ和交换耦合场Ｈｅｘ与反铁磁层ＮｉＯ、铁磁层ＮｉＦｅ厚度的关系，结果表明：ＮｉＯ厚度为７０ｎｍ时，Ｈｅｘ最大；Ｈｃ随ＮｉＯ厚度增大而增大．当ＮｉＦｅ厚度增加时，Ｈｅｘ近似线性减小；而Ｈｃ则随ＮｉＦｅ厚度增大开始有缓慢增加，然后才减小．对于ＮｉＯ（７０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（ｔ１）／Ｃｕ（２．２ｎｍ）／ＮｉＦｅ（ｔ２）自旋阀多层膜材料（括号内的量表示厚度），研究了ＮｉＦｅ膜厚度对磁阻效应的影响，结果表明：被钉扎层ＮｉＦｅ的厚度为３ｎｍ，自由层Ｎｉ |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104606]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴丹丹,李佐宜,邱进军,等. 膜厚对NiO/NiFe/Cu/NiFe磁阻效应的影响[J]. 华中理工大学学报,1999(07). |
| APA | 吴丹丹,李佐宜,邱进军,&卢志红.(1999).膜厚对NiO/NiFe/Cu/NiFe磁阻效应的影响.华中理工大学学报(07). |
| MLA | 吴丹丹,et al."膜厚对NiO/NiFe/Cu/NiFe磁阻效应的影响".华中理工大学学报 .07(1999). |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。