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镍基合金上离子束辅助沉积双轴取向的YSZ膜—YBCO超导膜缓冲层

文献类型:期刊论文

作者袁骏 ; 杨根庆 ; 毛应俊 ; 任琮欣 ; 邹世昌 ; 周锷猷 ; 张宏
刊名功能材料与器件学报
出版日期1997
期号01
ISSN号1007-4252
中文摘要用双离子束辅助沉积(IonBeamAsistedDeposition,IBAD)方法在Ni-Cr合金上合成了具有(00l)择优取向,平面双轴排列的YSZ膜(Y2O3-ZrO2)作为YBCO超导膜缓冲层。辅助轰击离子束方向与衬底法线的夹角540左右时可获得最佳的(00l)择优效果。8000C高温退火后其结构有较大的改善。在其上用MOCVD方法生长的YBCO膜的Tc=88K,Jc=10×104A/cm2(0T,77K),并且从Φ扫描的结果说明了YSZ缓冲层上YBCO膜的生长机制。
公开日期2012-03-29
源URL[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104626]  
专题上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文(冶金所)
推荐引用方式
GB/T 7714
袁骏,杨根庆,毛应俊,等. 镍基合金上离子束辅助沉积双轴取向的YSZ膜—YBCO超导膜缓冲层[J]. 功能材料与器件学报,1997(01).
APA 袁骏.,杨根庆.,毛应俊.,任琮欣.,邹世昌.,...&张宏.(1997).镍基合金上离子束辅助沉积双轴取向的YSZ膜—YBCO超导膜缓冲层.功能材料与器件学报(01).
MLA 袁骏,et al."镍基合金上离子束辅助沉积双轴取向的YSZ膜—YBCO超导膜缓冲层".功能材料与器件学报 .01(1997).

入库方式: OAI收割

来源:上海微系统与信息技术研究所

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