旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡
文献类型：期刊论文
| 作者 | 丁勇 ; 赵福川 ; 毛友德 ; 夏冠群 ; 赵建龙 |
| 刊名 | 半导体学报
 |
| 出版日期 | 2000 |
| 期号 | 12 |
| ISSN号 | 0253-4177 |
| 中文摘要 | 通过测试不同旁栅电压条件下的 MESFET沟道电流的低频振荡现象 ,发现旁栅偏压无论朝正向还是负向变化都存在一个阈值可消除此低频振荡 .并从理论上探讨了出现这种现象的原因 ,初步认为这与沟道 -衬底 (C- S)结的特性和高场下衬底深能级 EL2 的碰撞电离有关 |
| 语种 | 中文 |
| 公开日期 | 2012-03-29 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/104638]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_期刊论文（冶金所） |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丁勇,赵福川,毛友德,等. 旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡[J]. 半导体学报,2000(12). |
| APA | 丁勇,赵福川,毛友德,夏冠群,&赵建龙.(2000).旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡.半导体学报(12). |
| MLA | 丁勇,et al."旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡".半导体学报 .12(2000). |
入库方式： OAI收割
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